Fonction: Stagiaire M2
Contrat : Convention de stage
Prise de poste : Février 2023
Durée contrat : 6 mois
Lieu de travail : GeePs – 11 rue Joliot Curie, 91192, Gif-sur-Yvette // IPVF – 18 boulevard Thomas Gobert, 91120 Palaiseau
Formation : Master 2
Le stage aura lieu dans le cadre d’une collaboration avec l’UMR-IPVF et le GeePs. L’UMR-IPVF est une unité de recherche académique associée à l’Institut Photovoltaïque d’Ile de France (IPVF). Le GeePS est une unité de recherche (CNRS/Univ. Paris-Saclay/Sorbonne Univ.) spécialisée dans la caractérisation électrique et optoélectronique. Les deux laboratoires travaillent en lien étroit pour le développement de méthodes de caractérisation avancées dans le programme dédié de l’IPVF.
L’IPVF – Institut Photovoltaïque d’Île-de-France, institut pour la transition énergétique créé en 2013, est un pôle scientifique et technique dédié à la recherche et au développement de technologies solaires. Sur son site situé à Paris-Saclay, il fédère son propre personnel, des salariés de ses partenaires et ceux des sociétés extérieures. L’IPVF a pour ambition de devenir l’un des principaux centres mondiaux de recherche, d’innovation et de formation dans le domaine de la transition énergétique.
L’IPVF a pour objectif premier d’améliorer les performances et la compétitivité des cellules photovoltaïques et de développer des technologies de rupture.
L’IPVF et le GeePs travaillent au développement d’outils de caractérisation avancés, basés sur la photoluminescence (PL). Ils utilisent couramment la technique en régime transitoire (TRPL) et développent une technique en régime modulé. Le semi-conducteur est excité par un éclairement modulé sinusoïdalement dans le temps à fréquence variable et on mesure le signal de PL émis à la même fréquence, en particulier son amplitude et son déphasage par rapport à l’excitation. Le stage consiste à étudier de manière analytique et à simuler numériquement la PL modulée en faisant varier la température. Ceci doit permettre d’extraire des paramètres tels que la durée de vie des porteurs, les défauts électroniquement actifs (leur concentration et leur niveau d’énergie dans la bande interdite, …).
L’étudiant(e) aura la charge de :
– Lire les articles bibliographiques associés
– Utiliser un code de simulation fait par le laboratoire (qu’il faudra adapter) pour étudier l’effet de la température et faire une première interprétation des tendances observées
– Modifier des codes de simulation numérique à partir d’un logiciel commercial par volumes finis pour une étude numérique rigoureuse
– Comparer les résultats obtenus avec les résultats expérimentaux
– Semi-conducteurs
– Physique du Solide/ des matériaux
– Anglais B1
– Matlab
– C++ apprécié
– Méthode et rigueur
– Interactivité avec les membres des équipes IPVF et GeePs
Lettre de motivation et CV à transmettre par mail à :
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+33(0)1 69 86 58 60
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