Offres d’emploi

Adaptation de la technique de capacité transitoire de défauts profonds aux cellules photovoltaïques multi-jonctions

Type de Contrat : Stage

Début souhaité : 01 Avril 2020

Durée : 6 mois

Lieu de travail : Laboratoire GeePs

Formation : Master 2

Rémunération : Selon le profil

Présentation de l’IPVF

L’Institut Photovoltaïque d’Île-de-France (IPVF) a pour ambition de devenir l’un des principaux centres mondiaux de recherche, d’innovation et de formation dans le domaine de l’énergie solaire photovoltaïque en fédérant des équipes de recherche académiques (CNRS, Ecole polytechnique) reconnues au plan international et des industriels (EDF, Total, Air Liquide, Horiba et Riber) leaders de la filière photovoltaïque. L’IPVF a pour objectif d’améliorer les performances et la compétitivité des cellules photovoltaïques et de développer de nouvelles technologies de rupture en s’appuyant sur trois leviers :

      • un programme de recherche ;
      • une plateforme de recherche expérimentale ouverte aux acteurs de la filière photovoltaïque ;
      • un programme de formation principalement fondé sur un master et l’encadrement de doctorants.

Contexte

Récemment au GeePs, nous avons étudié la caractéristique C(V) (capacité en fonction de la tension appliquée) pour une multi-jonction en modifiant les conditions d’injection lumineuse dans les sous-cellules [1]. Nous avons pu extraire des informations pertinentes sur les dopages effectifs aux différentes jonctions et sur leur fonctionnement au sein de la cellule. Actuellement, nous étendons l’étude en fonction de la fréquence d’excitation et de la température de localiser la présence ou non de défauts profonds électriquement actifs susceptibles d’être formés lors de la croissance complète de la multi-jonction.

C. Léon et al., “Understanding and monitoring the capacitance-voltage technique for the characterization of tandem solar cells”, Prog. In Photovolt. 2019, 1-8 (2019); DOI: 10.1002/pip.3235

 

Sujet du stage

Le stage portera sur le développement de la technique de capacité transitoire de défauts profonds (DLTS) pour l’étude des cellules multi-jonctions. La technique DLTS, permet d’étudier l’évolution de la vitesse d’émission des porteurs d’un défaut profond en fonction de la température et ainsi, permet d’avoir accès aux propriétés électriques des défauts profonds tels que la concentration, la position en énergie dans le gap et les sections efficaces de capture. Cette technique a souvent été employée au GeePs, et récemment utilisée pour l’étude de nouveaux matériaux III-V [2]. Si cette technique est bien maitrisée pour des cellules solaires simple jonction, aucune étude n’a été faite sur des cellules multi-jonctions sous polarisation.

[2] “Cellules solaires à multi-jonctions par intégration monolithique de nitrures dilués sur substrat GaAs et Si : études des défauts”, Thèse Artem Baranov (2018)

Profil recherché

SAVOIRS (Connaissances théoriques)

  • Physique du Solide/matériaux
  • Physique des semi-conducteurs et composants électronique et optoélectronique.
  • Physique de la conversion photovoltaïque est un plus

SAVOIR-FAIRE (Compétences méthodologiques et organisationnelles)

  • Gout pour l’expérimentation
  • Interprétation des résultats
  • Compétence dans modélisation numérique
  • Organisation, rédaction

SAVOIR-ÊTRE (compétences relationnelles et comportementales)

  • Travail en équipe

Contact

Lettre de motivation et CV à transmettre par mail à : sylvain.legall@geeps.centralesupelec.fr
Préciser impérativement le titre de l’offre dans l’objet du mail