L’IPVF fait croître les hétérostructures photovoltaïques de demain dans ses salles blanches !

8 mars 2021

Notre bâti de MBE (épitaxie par jets moléculaires) permet de produire des cristaux à base de Ga, Al, In, As, P dopés au Si ou Be. Les cellules solaires III-V qui en sont issues présentent des performances à l’état de l’art, avec par exemple une efficacité certifiée de 18.7% 🏅 pour un nouveau design d’hétérojonction AlGaAs/GaInP (https://doi.org/10.1002/pip.3249). Cet équipement constitue un atout phare du programme de recherche dans lequel l’IPVF met au point de futures cellules III-V et tandems III-V sur Si avec le @C2N, @RIBER, et ses autres partenaires.

Intéressés par la MBE ou l’épitaxie ? Rendez-vous sur 👉 MBE – RIBER • IPVF – L’Institut Photovoltaïque d’Île-de-France

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