
L’IPVF fait croître les hétérostructures photovoltaïques de demain dans ses salles blanches !
Notre bâti de MBE (épitaxie par jets moléculaires) permet de produire des cristaux à base de Ga, Al, In, As, P dopés au Si ou Be. Les cellules solaires III-V qui en sont issues présentent des performances à l’état de l’art, avec par exemple une efficacité certifiée de 18.7% 🏅 pour un nouveau design d’hétérojonction AlGaAs/GaInP (https://doi.org/10.1002/pip.3249). Cet équipement constitue un atout phare du programme de recherche dans lequel l’IPVF met au point de futures